Si
GaAs
4H-SiC
GaN
β-Ga2O3
*3)*4)
1.1
1.4
3.3
3.4
4.8
（バンドギャップ：eV）
1400
8000
1000
1200
300
（電子移動度：cm2/Vs）*5)
0.3
0.4
2.5
3.3
8
（絶縁破壊電圧：MV/cm）*5)
12
13
10
9
10
（比誘電率）
1
15
340
870
3400
（バリガ指数）*1)